季华实验室建成设备-工艺-材料协作开发的半导体装备研发和工艺验证中试平台,具备 6 英寸 SiC 高温外延生长装备生产能力和6 英寸 SiC 外延工艺验证能力。SiC外延生长装备中试平台总面积共约825 m2,已购置仪器设备16台套,设备净值743.02万元。用于实验条件保证、设备性能验证以及SiC外延片性质测量,所有仪器设备均已到位并正常使用中。
SiC外延生长装备中试平台通过外延工艺实验有效检验了SiC高温外延生长装备的性能稳定可靠,并实现了设备技术改进的有效反馈,有力促进了SiC高温外延生长装备开发和产业化。
可以为用户提供上线前的技术验证及在批量生产前的工艺验证,同时还可以为用户提供操作技术人员的培训,目前已经为超过4家类似客户提供了相关服务与培训。