用于硅及化合物半导体材料离子注入后的缺陷消除/杂质激活、硅化物形成、欧姆/肖特基接触的制备以及快速氧化/氮化、消除薄膜应力、提高薄膜附着性等方面,也可用于各种半导体材料PVC、CVD工艺的热处理。 |
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