发明人：张晓东; 马永健; 何涛; 张宝顺

本发明公开了一种基于氧化镓与氮化镓的集成式器件及其制备方法。所述集成式器件包括依次叠设在沟道层上的势垒层、第一缓冲层和日盲紫外功能层；所述势垒层表面的局部区域从第一缓冲层和日盲紫外功能层中暴露出；所述势垒层表面的局部区域上设置有第一电极、第二电极和第三电极，以配合形成功率电子器件单元；所述日盲紫外功能层上设置有第四电极和第五电极，以配合形成日盲紫外光电子器件单元。本发明提供的集成式器件，可实现氧化镓日盲紫外光电子器件与氮化镓功率电子器件芯片集成，不仅能够实现两种器件的单一功能，还能综合两者优势，适用于某些特定领域。