MD-600B 氧化物 MOCVD 系统的主要技术指标 设备型号 MD-600B MOCVD 生产能力 2"圆片 38 片/批 每炉生产耗时 ＜2 小时 基片温度 200℃～700℃，最大 800℃ 温度控制方式 3 点热电偶控温 ；控温精度 ±1.0℃ 温度斜变能力 a. 升温速率：≥30℃/min b. 降温速率：≥10℃/min 升温时间 RT→600℃≤30min 升温方式 具有自动斜率升温及恒温功能 安全保护 具有完善的超温、断偶、短路、断气报警保护 最大升温功率 30KW ；保温功率 10KW 外形尺寸（mm） 3545（L）×1540（W）×2300（H） 送片方式 使用机械手自动运送载片盘 载片台旋转速率 20～1000rpm 连续可调 压力自动控制范围 1.3×102 ～ 4×104pa (1～300 Torr) 极限真空 ≤3pa ； 真空恢复时间 AP→20 Torr≤2min 系统气密率 反应室漏气率 1×10-7 Pa L/S .管路系统漏气率 1×10-8 Pa L/S 压力控制 VAT 一体式蝶阀 自动闭环控制 工艺气体 氧气（O2）、氮气（N2）、氩气（Ar） 金属有机源 二乙基锌（DEZn）、三乙基铝（TEAl）、三乙基镓（TEGa） 获奖情况： 1、项目：“基于氧化锌外延透明电极结构的新型高效大功率 LED 芯片技术、装备及其生产 化”，于 2014 年 11 月被授予 2014 年中国产学研合作创新成果奖；2、项目：“基于新型氧化物透明电极结构 的半导体倒装发光芯片关键技术及产业化”，于 2019 年 12 月被授予 2019 年中国产学研合作创新成果奖。 鉴定：ZnO 基宽禁带化合物半导体薄膜材料外延生长 MOCVD 设备 产品检测报告 自主知识产权：发表 MOCVD 设备及氧化物材料等相关论文 30 余篇，发明及授权专利 50 余项。