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孙英斐研发工程师

所在创新平台：广东中科半导体微纳制造技术研究院擅长领域：Si衬底GaN HEMT功率器件表面钝化

佛山市南海区四类人才，目前主要做8英寸Si衬底GaN HEMT功率器件表面钝化相关技术研究

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教育背景

2018.9-2022.6苏州大学光学，博士 2015.9-2018.6哈尔滨师范大学物理学，硕士 2010.9-2014.6哈尔滨师范大学光电信息工程，学士

工作经历

2022.7-至今中科院苏州纳米所-广东中科微纳院创新实践基地博士后

参与项目

8英寸Si衬底GaN HEMT功率器件表面钝化相关技术研究，博士后项目，2022.7-2024.7

主要荣誉

无

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