本申请涉及钙钛矿薄膜领域,主要涉及一种α相CsPbI3薄膜及其制备方法。其中,包括以下步骤:(1)将CsI和PbI2溶解于溶剂中,得到CsPbI3前驱体溶液;(2)将CsPbI3前驱体溶液旋涂于基底表面上,经过第一次静置,再在所述基底上滴加二苯基次膦酰氯溶液,再经过第二次静置直至基底表面颜色从黄转黑,旋转基底;(3)对基底进行退火处理,在基底上得到所述α相CsPbI3薄膜。本申请的α相CsPbI3薄膜的制备方法操作便利,成本低,成膜性好,条件容易达成,便于工厂规模化生产。通过该方法制得的α相CsPbI3薄膜结晶性好,表面致密平整,相稳定性高,对光伏材料的可拓展生产有重要意义。
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