发明人：刘竞博; 朱云龙; 毛淇; 吕赐兴

本实用新型提供一种基于金字塔结构的量子点太赫兹调制器，基底材料层的表面可以根据需要设置成不同的凹凸结构，量子点在基底材料层上的承载量将显著提高，进而在泵浦光的照射下该调制器将产生更多的光生载流子，更多的光生载流子迁移到石墨烯薄膜中，实现石墨烯的电导率显著增加，因而对太赫兹的调制深度更高；入射泵浦光将在凹凸结构的基底材料层中产生陷光效应与多次震荡反馈激发效应，有效提高调制器件对泵浦光激励的光电转化效率，在极低的泵浦光功率下实现对太赫兹波的调控。