发明人：郭嘉杰; 吴帆; 王慧勇; 张南; 刘自然; 孔倩茵

本申请涉及半导体器件领域，公开了一种高阻值GaN基HEMT器件及其制备方法，制备方法包括以下步骤：氮化处理；预铺Al；生长AlN缓冲层：依次生长第一AlN缓冲层、第二AlN缓冲层和第三AlN缓冲层；生长AlGaN缓冲层：依次生长第一AlyGa1‑yN缓冲层和第二AlyGa1‑yN缓冲层；生长自掺碳高阻值GaN外延层；生长GaN沟道层；生长AlyGa1‑yN势垒层；生长GaN帽层。本申请通过优化工艺，可以大幅降低AlN缓冲层以及自掺碳高阻值GaN外延层的位错密度，提高晶体质量。