发明人：郭晓东; 王凤双; 肖永能; 黄星星; 刘乔; 侯少毅; 毕诗博; 肖慧

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种宽量程的电容薄膜真空计及真空度检测方法，通过设置第一参考室和第二参考室，并且第一深度比第二深度大，第一感压膜片比第二感压膜片的厚度大，因此，第一参考室可测量的压力值比第二参考室可测量的压力值大，且第一参考室的真空度测量范围比第二参考室的真空度测量范围大，不管待测气体的压力值是大还是小，都可以通过宽量程的电容薄膜真空计实现真空度检测，无需通过多个现有的电容薄膜真空计配合使用，降低电容薄膜真空计生产成本以及避免检测过程繁杂，从而提高宽量程的电容薄膜真空计的普用性。