发明人：蔡炜; 马宝真; 韩青原; 郑喜凤

本发明公开了一种HEMT驱动MicroLED一体化背板及其制作方法，属于MicroLED领域，方法步骤包括，在衬底上生长HEMT外延结构，在HEMT外延结构上依次生长三种单色LED外延结构，得到外延片，刻蚀至衬底对外延片分区，沉积钝化层，刻蚀通孔，再沉积导体，以使三个LED区的n‑GaN层相连且连接至一个HEMT区，余下三个HEMT区各与一个LED区的p‑GaN层相连。本发明将HEMT与三色LED器件在外延端集成在单一衬底上，可以回避因复杂的封装和键合工艺造成的寄生参数的影响，可以绕开繁琐的巨量转移及巨量转移后的检测工序，对突破Micro‑LED面板产业化瓶颈有一定意义。