SiC外延是SiC器件生产过程中的核心工艺，生产成本占器件生产过程的22%，其核心工艺装备被欧美等发达国家垄断。该装备的研制成功解决了我国第三代半导体SiC器件生产用关键工艺装备依赖进口的“卡脖子”问题。SiC高温外延生长装备重点攻克耐高温耐腐蚀材料反应室设计、均匀高温加热场、高精度温度控制、高温真空低漏率设计、膜厚及表面形貌的高精度实时监测、SiC高速外延工艺等核心关键技术，实现大尺寸化、高速生产化、高良率化、低能耗化、全自动化，研发出满足高速SiC外延生长要求的高温外延生长装备，填补了国内空白，实现了国产装备自主可控和批量应用。该成果进入SiC芯片生产企业开展马拉松流片工艺验证，与用户单位共同完成与国外装备的对比工艺验证，设备性能达到国际同类设备水平，核心部件全部采用国产，整机国产化率超过85%，实现了超过6个月的稳定连续运行首创了同一腔室生长N型掺杂+P型掺杂外延技术。