发明人：杨冠南; 钟朝彬; 童金; 崔成强; 张昱

本申请公开了一种基于纳米金属冲击烧结的导电结构及其成型方法，其中，成型方法包括以下步骤：取两片待连接介质，在两片待连接介质中填充纳米金属颗粒，在上方的待连接介质顶面设置加压板；对加压板进行高频脉冲加压处理，使纳米金属颗粒结合和使纳米金属颗粒与待连接介质结合，形成导电介质；移除加压板；清除导电介质上残余纳米金属颗粒。本申请实施例提供的成型方法采用纳米金属颗粒作为填充物替代一般的金属粉末，结合高频脉冲加压处理方式，使得纳米金属颗粒可在常温下发生冶金结合而与待连接介质烧结成导电介质，完成导电片的成型制备，具有便捷、低成本、设备要求低的特点，可制备出具备合格的结构强度、导电性能的导电结构产品。