发明人：柯链宝; 毕海; 张赫铭; 王嘉璇

本发明涉及有机半导体领域，具体涉及一种可进行电子自旋禁阻激发的超分子晶体膜及制备方法，包括主体材料和客体材料，所述主体材料为第一金属与第一配体、第二配体的配合物，所述客体材料为第二金属与第三配体的配合物。通过构建主体材料和客体材料以及两者配体分子之间的相似性、空间匹配程度、相互作用等方面去制备超分子晶体膜，其掺杂所形成的结晶借助晶格、氢键等相互作用实现局部限域，使得其能实现主体分子和客体分子较强的电子自旋‑轨道作用以及电子跃迁偶极作用，以及二者之间的耦合，其在光谱上表现为在长波长处有更为明显的发射，且表现出明显的长寿命三重态发射。