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金刚石薄膜电容及其制造方法、真空计及其制造方法
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知识产权-专利
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专利类型:发明专利
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发明人:郭可升; 刘乔; 胡强; 侯少毅; 杨振怀; 郭晓东; 祝经明

本发明公开了一种金刚石薄膜电容及其制造方法、真空计及其制造方法,属于真空计领域,金刚石薄膜电容制造方法包括以下步骤:在两片衬底的正面沉积金刚石;其中一片衬底直接沉积得到第一部件,另一片衬底用金属环包围外沿后沉积得到第二部件;取下金属环,并去除第一部件和第二部件背面的衬底;在第二部件一面的中央和第一部件背面的中央沉积金属层;在金属层上焊上导线,且在第一部件或在第二部件上开设导线通孔;将第一部件和第二部件金属层相对且不接触地盖合;在第二部件朝上的状态下沉积金刚石,得到高精度、耐腐蚀的金刚石薄膜电容,用于真空计中可以有效降低弹性后效和弹性滞后引起的测量精度不高的问题。

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