中心旨在支撑介电材料的基础和工程科学与工程方面发挥引领和建设性作用，并通过开发新材料、加工策略、电气测试以及纳米级表征和建模方法来支持基于电容器、材料和设备行业发展。中心自主研发生产的Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ类瓷介质均表现出优良、稳定的性能。其中，中心所研制的Ⅰ类瓷中的K131瓷粉已完成中试规模制备，正逐步对接下游军工企业，该产品属于I类瓷中的高k值材料，其稳定性好，容值基本不随温度（满足C0G特性，ΔCp< 30ppm/℃）、电压、时间的变化而变化。此外，和清华大学材料学院联合开发的巨介电陶瓷基片（k=10000，20000）已经试产验证。

• 应用场景:现已广泛应用于微波集成电路、高端军/民用领域如雷达、导弹遥控、卫星通讯定位，电视卫星接收器，无线局域等方面。
• 核心技术:

• 该瓷粉属高端半导体材料，电容容量稳定性较好基本不随温度 (满足C0G特性，ΔCp< 30ppm/℃)、电压、时间的变化而变化。