主要用于测试 1.半导体薄膜,如介电/金属薄膜,AlGaN、ZnO等宽禁带半导体材料
2. 集成电路:周期性纳米结构,如光刻掩模光栅结构,纳米压印结构,刻蚀深沟槽结构等
3. 新材料、新物理现象研究:材料光学各向异性、退偏效应、电光效应、光弹效应等
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