发明人：刘超晖; 马静; 兰潇健

本发明提供了一种雪崩二极管装置，涉及半导体技术领域，雪崩二极管装置包括电极连接层、晶圆层及相对设置的第一检测层与第二检测层；电极连接层设置在第一检测层与第二检测层之间，第一检测层与电极连接层电连接；晶圆层设置在第二检测层背离第一检测层的一侧，第二检测层与晶圆层电连接；第二检测层的侧壁上设有穿孔结构，其中，电极连接层通过穿孔结构与晶圆层电连接。本发明技术方案通过第一检测层与第二检测层增加近红外光的吸收区域，从而提高近红外光在雪崩二极管装置中的光程，提高近红外光被探测到的概率。