发明人：兰潇健; 马四光; 刘超晖; 马静

本公开涉及光电探测器件技术领域，尤其涉及一种单光子雪崩二极管及制作方法，单光子雪崩二极管包括：第一类型外延层、第二类型掺杂区以及第一类型埋层；第二类型掺杂区位于第一类型外延层内的顶部，第一类型埋层位于第二类型掺杂区的下方，第二类型掺杂区与第一类型埋层构成非平面PN结；第二类型掺杂区包括中部掺杂区和包裹中部掺杂区侧面和底面的周向掺杂区，中部掺杂区和周向掺杂区的掺杂浓度不同；其中，第一类型为P型和N型中的一种，第二类型为P型和N型中的另一种。本公开可以通过在制作过程中改变第一类型埋层的掺杂浓度实现击穿电压的可调控，进而可实现降低击穿电压，使得单光子雪崩二极管具有较高的光子探测效率。