发明人：高超峰; 张士亨; 汤华平; 马治博; 饶衡; 熊孝经; 毕云杰

本申请公开了一种多孔晶格结构的工艺开发方法、装置、设备及存储介质，涉及增材制造技术领域。该工艺开发方法包括：获取制备多孔晶格结构的目标材料特性和结构信息；根据目标材料特性，确定轮廓激光功率和轮廓扫描速度的第一参数基准值；基于第一参数基准值，构建对应的二因子参数矩阵；根据结构信息，确定对应的轮廓偏置参数；基于二因子参数矩阵和轮廓偏置参数，增材制造成形多孔晶格结构的第一试验样品，并检测第一试验样品的表面粗糙度；根据表面粗糙度，确定多孔晶格结构的最优轮廓参数值，并将最优轮廓参数值作为多孔晶格结构的优化工艺参数包。本申请优化了多孔晶格结构的工艺参数，进而提高了多孔晶格结构的表面质量。