发明人：张赫铭; 毕海

本发明属于计算机技术领域，公开了一种电子自旋禁阻激发偶极确定方法、装置、设备及存储介质。该方法包括：建立超分子计算模型；从超分子计算模型中搜索能量最低的N个构象，并根据N个构象生成计算模型，N≥1；对计算模型进行分析，计算电子自旋禁阻跃迁的微扰矩阵元和能差信息；根据微扰矩阵元和能差信息计算电子自旋禁阻激发偶极。通过上述方式，利用计算机实现一体化的模型自动构建、参数计算和数据后处理，确定电子自旋禁阻激发偶极参数，为发光和吸收光半导体材料的分析和革新提供重要数据支持。