发明人：郭庆虎; 郝华

本发明属于功能陶瓷领域，公开了一种电致伸缩陶瓷及其制备方法、电致伸缩装置。电致伸缩陶瓷的化学通式为：Pb<subgt;(1‑y‑z)</subgt;Pr<subgt;y</subgt;Li<subgt;z</subgt;(Mg<subgt;1/</subgt;<subgt;3</subgt;Nb<subgt;2/3</subgt;)<subgt;(1‑x)</subgt;Ti<subgt;x</subgt;O<subgt;3</subgt;，其中：0.25≤x≤0.35，0.04≤y+z≤0.08，y>0，z>0。本发明选择具有优异的电学性能的PMN‑PT陶瓷为基体，通过Pr和Li复合离子掺杂的方式，在纳米尺度引入大量异质结构，增强陶瓷的弛豫特征，从而完全破坏陶瓷基体中的宏观铁电畴结构，降低不可逆畴壁运动带来的应变滞后系数，制备了高介电常数和高电致伸缩应变的电致伸缩陶瓷。同时，Pr和Li复合离子掺杂，有利于获得稳定钙钛矿结构，进一步提高了材料的电学性能。