发明人：戴科峰; 刘自然; 何嵩; 唐卓睿; 吴国发

本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种PECVD设备的清洗时间预测方法、装置、设备及介质，其中，方法包括以下步骤：在清洗PECVD设备时，获取预设采集时间内反应腔排出的尾气中的至少一种反应气体浓度变化信息和/或至少一种反应后气体浓度变化信息；基于反应气体浓度变化信息和/或反应后气体浓度变化信息，以及预设采集时间生成清洗进度函数；根据清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息；该方法基于清洗过程中反应腔排出的气体成分生成清洗进度函数，利用该清洗进度函数可快速分析出清洗工艺的进程及完成清洗的时间，使得用户能获知预测时间信息和/或提醒信息，从而实现清洗时长的准确控制。