发明人：郝华; 郭庆虎

本发明属于压电陶瓷技术领域，公开了一种高压电系数的PMNZT基压电陶瓷及其制备方法和应用。本发明高压电系数的PMNZT基压电陶瓷通过选择性能优异的铌镁酸铅‑锆酸铅‑钛酸铅三元陶瓷为基体，并在A位引入比Pb离子半径略小的三价离子，引起晶格畸变，增强陶瓷的弛豫特征，从而获得更高的介电和压电性能；该压电陶瓷的正压电系数d<subgt;33</subgt;高达1040pC/N，逆压电系数d<subgt;33</subgt;*高达1310pm/V，介电常数ε<subgt;33</subgt;为4530‑6460，介电损耗tanδ＜0.03，平面机电耦合系数k<subgt;p</subgt;＞0.70，并且该压电陶瓷的制备工艺简单，具有广泛的应用前景。