发明人：王学文; 岳云帆

本发明属于光电探测器技术领域，公开了钙钛矿薄膜及含其的光电探测器的反溶剂制备方法。该反溶剂制备方法，包括以下步骤：(1)将基底置于等离子清洗设备中进行改性处理，制得改性的基底；(2)取步骤(1)制得的改性的基底加热，然后在改性的基底上滴加钙钛矿前驱体溶液，再滴加反溶剂，反应，退火，制得钙钛矿薄膜；反溶剂包括甲苯、丙酮、氯苯或氯仿中的至少一种；退火的温度为78‑122℃。光电探测器具有良好的光电性能，同时具有高的响应度、外量子效率和比探测率，光电探测器的响应度为200‑700μA/W，外量子效率大于0.01，比探测率为108‑109Jones。