发明人：王学文; 岳云帆

本发明属于光电探测器技术领域，公开了二维钙钛矿薄膜及含其的光电探测器的反溶剂制备方法。该二维钙钛矿薄膜的反溶剂制备方法，包括以下步骤：(1)将基底置于等离子清洗设备中进行改性处理，制得改性的基底；(2)取步骤(1)制得的改性的基底加热，然后在改性的基底上滴加钙钛矿前驱体溶液，再滴加反溶剂，反应，退火，制得所述二维钙钛矿薄膜；所述反溶剂包括甲苯、丙酮、氯苯或氯仿中的至少一种。在二维钙钛矿薄膜上制备电极，制得光电探测器。该光电探测器的响应时间低于85ms，经过近90次循环光电流衰减不到7.7％，最佳响应度为200‑670μA/W，最大光电流为3.5‑13.2nA。