宿世臣，男，黑龙江人，博士、研究员，博士生导师。2009年于中科院长春光机所发光学与应用国家重点实验室取得博士学位。多年来一直从事ZnO，GaN等宽禁带半导体材料与器件的发光和激光特性的相关研究工作：1.利用分子束外延（MBE），脉冲激光沉积（PLD）和金属有机化学气相沉积（MOCVD）等设备开展了ZnO/ZnMgO量子阱，ZnO薄膜材料和GaN LED的相关的研究工作， 2.量子点（CdSe，ZnO，carbon QD等）发光与显示方面的研究工作，3.激光加工（包括，激光冲击强化，激光打标焊接...