高玉强 总工程师 从事宽禁带半导体领域研究，主要研究方向包括碳化硅单晶生长理论与工艺、衬底加工工艺和缺陷理论等。师从蒋民华院士和徐现刚教授，参与完成 “国家重大科技专项”、科技部(863计划)项目、国家自然科学基金、山东省科技厅自主创新成果转化重大专项、山东省信息产业厅项目等国家级和省部级科研项目5项。在国际国内刊物上发表科研论文15篇，专利3项。成功研发了具有自主知识产权的大直径SiC单晶生长炉，突破了SiC衬底产业化的瓶颈，为碳化硅材料的推广应用奠定了基础。创新碳化硅单晶生长工艺，提高单晶生...